Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V, 8-Pin SO-8 ISC0703NLSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB7,660.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB76,525.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB81,880.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
5000 - 5000THB15.305THB76,525.00-
10000 - 10000THB14.539THB72,695.00THB7,660.00
15000 +THB13.812THB69,060.00THB22,395.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
232-6754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISC0703NLSATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

57A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS 5

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.9mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

44W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.2mm

Height

5.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 60 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง