Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

RS Stock No.:: 903-4484
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHG33N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB218.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB233.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 484 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB218.66
13 - 24	THB213.21
25 +	THB209.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 903-4484
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiHG33N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	98mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	103nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Width	5.31 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 98mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Width 5.31 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง