onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L060N090SC1
- RS Stock No.:
- 229-6463
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L060N090SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB298.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB319.74
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 228 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB298.82 |
| 10 - 49 | THB289.86 |
| 50 - 99 | THB280.89 |
| 100 - 224 | THB274.91 |
| 225 + | THB268.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6463
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L060N090SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SiC Power | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 84mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 221W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 3.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 22.74mm | |
| Width | 5.2 mm | |
| Length | 15.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SiC Power | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 84mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 221W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 3.9V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 22.74mm | ||
Width 5.2 mm | ||
Length 15.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.
Highest efficiency
Faster operation frequency
Increased power density
Reduced EMI
Reduced system size
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L015N065SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 4-Pin TO-247 NTH4L045N065SC1
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263
- onsemi SiC Power Type N-Channel MOSFET 650 V N, 7-Pin TO-263 NTBG015N065SC1