Infineon IAUS300N10S5N015T N-Channel MOSFET, 350 A, 100 V Enhancement, 16-Pin HDSOP IAUS300N10S5N015TATMA1

RS Stock No.:: 228-6531
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUS300N10S5N015TATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IAUS300N10S5N015T N-Channel MOSFET, 350 A, 100 V Enhancement, 16-Pin HDSOP IAUS300N10S5N015TATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB577.87

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB618.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,516 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB288.935	THB577.87
10 - 98	THB281.705	THB563.41
100 - 248	THB274.66	THB549.32
250 - 498	THB267.80	THB535.60
500 +	THB261.095	THB522.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-6531
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUS300N10S5N015TATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	IAUS300N10S5N015T
	Package Type	HDSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	16
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series IAUS300N10S5N015T
	Package Type HDSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 16
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon IAUS300N10S5N015T Series MOSFET, 100V Drain Source Voltage, 350A Continuous Drain Current - IAUS300N10S5N015TATMA1

This MOSFET is a high-current switching transistor designed for demanding automotive and power applications, providing controlled conduction in N‑channel enhancement mode across a wide temperature span. It is supplied in a 16‑pin surface-mount HDSOP package suitable for Compact circuit assemblies and conforms to automotive stress criteria for use in vehicle electronics.

Features and Benefits:

• 100 V drain rating enabling high-voltage switching capability
• 350 A continuous drain current supports heavy current loads
• 1.5 mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 375 W power dissipation allows sustained thermal loading
• ±20 V gate tolerance permits robust drive-voltage margins
• −55 °C to +175 °C operating range for extreme environments

Applications

• Suitable for automotive traction inverter stages
• Ideal for high-current motor control modules
• Used with battery management and power distribution
• Can be used for DC-DC converters in vehicles
• Suitable for electric powertrain auxiliary circuits

What package considerations affect PCB layout?

The HDSOP surface-mount package requires thermal copper pours and multiple PCB vias to manage heat from high power dissipation.

How does the device handle transient gate excursions?

The gate tolerance of ±20 V defines the maximum allowable gate‑to‑source voltage for protection against transient overstress.

What thermal environment is supported during continuous operation?

Continuous operation is specified across a temperature span from −55 °C to +175 °C to accommodate both cold starts and elevated under-hood temperatures.

How does the forward voltage impact diode conduction losses?

A forward voltage of 1.3 V for the intrinsic diode determines the conduction drop when the body diode conducts during reverse-current events.