STMicroelectronics STP50N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

RS Stock No.:: 206-6072
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP50N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP50N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB7,703.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,242.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB154.071	THB7,703.55
100 - 150	THB150.722	THB7,536.10
200 +	THB147.372	THB7,368.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 206-6072
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP50N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-LL
	Series	STP50N60DM6
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	55nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	28.9mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.4mm
	Width	10 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 36A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-LL
	Series STP50N60DM6
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 28.9mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.4mm
	Width 10 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STP50N60DM6

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics STP50N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 36 A, 600 V Enhancement, 8-Pin TO-LL

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง