Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM90100E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB283.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB303.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 618 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB141.75 | THB283.50 |
| 10 - 48 | THB138.205 | THB276.41 |
| 50 - 98 | THB134.745 | THB269.49 |
| 100 - 248 | THB131.37 | THB262.74 |
| 250 + | THB128.085 | THB256.17 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM90100E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72.8nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72.8nC | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 200-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP90100E-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM40014M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
