Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB283.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB303.34

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 618 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB141.75THB283.50
10 - 48THB138.205THB276.41
50 - 98THB134.745THB269.49
100 - 248THB131.37THB262.74
250 +THB128.085THB256.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2987
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SUM90100E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

TrenchFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72.8nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง