Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQ4946CEY-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2946P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB1,465.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,568.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 2,420 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 50 - 90 | THB29.317 |
| 100 - 240 | THB28.583 |
| 250 - 990 | THB27.869 |
| 1000 + | THB27.174 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2946P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4946CEY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4W | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4W | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||