Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 42.3 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย 50 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB1,669.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,786.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 8,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
50 - 90THB33.385
100 - 240THB32.55
250 - 990THB31.735
1000 +THB30.942

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2921P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiS176LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

42.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 70 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested