Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 62.3 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Stock No.:
- 225-9922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR122LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB93,936.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB100,512.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB31.312 | THB93,936.00 |
| 6000 + | THB30.686 | THB92,058.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9922
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR122LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 62.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | N-Channel 80 V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.15 mm | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 62.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series N-Channel 80 V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.15 mm | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIR122LDP-T1-RE3
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJ180EP-T1_GE3
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 80 V PowerPAK SO-8
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8 SIR5802DP-T1-RE3