Infineon IPDQ60R010S7 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP IPDQ60R010S7XTMA1

RS Stock No.:: 225-0580
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R010S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPDQ60R010S7 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP IPDQ60R010S7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB783.48

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB838.32

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB783.48
10 - 99	THB763.89
100 - 249	THB744.80
250 - 499	THB726.18
500 +	THB708.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 225-0580
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R010S7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPDQ60R010S7
	Package Type	HDSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	22
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	318nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	694W
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.1mm
	Width	2.35 mm
	Height	21.06mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPDQ60R010S7
	Package Type HDSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 22
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 318nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 694W
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.1mm
	Width 2.35 mm
	Height 21.06mm
	Automotive Standard No

Datasheet-IPDQ60R010S7XTMA1

The Infineon IPDQ60R010S7 is the N channel power MOSFET and it enables the best performance for low frequency switching applications. The MOSFET is optimized for static switching and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for liner rectification inSMPS and inverter topologies.

Minimizes conduction losses

Increases energy efficiency

More compact and easier designs

Eliminates or reduces heat sinks in solid-state design

Infineon IPDQ60R010S7 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP IPDQ60R010S7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง