Infineon IPDQ60R010S7A Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP

RS Stock No.:: 225-0577
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R010S7AXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPDQ60R010S7A Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 750 ชิ้น)*

THB503,027.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB538,239.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
750 - 750	THB670.703	THB503,027.25
1500 - 1500	THB644.907	THB483,680.25
2250 +	THB636.743	THB477,557.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 225-0577
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDQ60R010S7AXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	HDSOP
	Series	IPDQ60R010S7A
	Mount Type	Surface
	Pin Count	22
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	694W
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	318nC
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.35 mm
	Height	21.06mm
	Length	15.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type HDSOP
	Series IPDQ60R010S7A
	Mount Type Surface
	Pin Count 22
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 694W
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 318nC
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.35 mm
	Height 21.06mm
	Length 15.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet-IPDQ60R010S7AXTMA1

The Infineon IPDQ60R010S7A is a high voltage power MOSFET,designed as static switch according to the super junction (SJ) principle. The mosfet combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation enabling low RDS (on) in QDPAK package. The S7A series is optimised for low frequency switching and high current. application like circuit breakers.

Minimizes conduction losses

Increases energy efficiency

More compact and easier designs

Lower TCO cost or BOM cost

Infineon IPDQ60R010S7A Type N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง