Infineon IPDQ60R010S7A N-Channel MOSFET, 50 A, 600 V N, 22-Pin HDSOP IPDQ60R010S7AXTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB751.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB804.07

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 27 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB751.47
10 - 99THB732.68
100 - 249THB714.35
250 - 499THB696.47
500 +THB679.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
225-0578
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPDQ60R010S7AXTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HDSOP

Series

IPDQ60R010S7A

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

694W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

318nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.35mm

Length

15.1mm

Standards/Approvals

No

Height

21.06mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon IPDQ60R010S7A is a high voltage power MOSFET,designed as static switch according to the super junction (SJ) principle. The mosfet combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation enabling low RDS (on) in QDPAK package. The S7A series is optimised for low frequency switching and high current. application like circuit breakers.

Minimizes conduction losses

Increases energy efficiency

More compact and easier designs

Lower TCO cost or BOM cost

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง