Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R045C7ATMA2
- RS Stock No.:
- 222-4897
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R045C7ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB311.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB333.28
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 948 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB311.48 |
| 10 - 99 | THB303.68 |
| 100 - 249 | THB296.08 |
| 250 - 499 | THB288.68 |
| 500 + | THB281.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4897
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB65R045C7ATMA2
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPB65R | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPB65R | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Outstanding CoolMOS™ quality
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180P7ATMA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R039M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R040M2HXKSA1
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL065N65S3HF