Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 46 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R040M2HXKSA1
- RS Stock No.:
- 349-064
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMW65R040M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB417.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB446.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB417.12 |
| 10 - 99 | THB375.56 |
| 100 - 499 | THB346.37 |
| 500 - 999 | THB321.13 |
| 1000 + | THB287.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 349-064
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IMW65R040M2HXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 46A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Series | CoolSiC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 49mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 172W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 46A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Series CoolSiC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 49mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 172W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC MOSFET 650 V G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and excellent ease of use. This MOSFET is designed to enable cost effective, highly efficient, and simplified designs, addressing the ever-growing demands of modern power systems and markets. It is an ideal solution for achieving high system efficiency in a wide range of applications, delivering reliable performance and superior functionality.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R040M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IMW65R039M1HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R050M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R015M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R020M2HXKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R450M1XKSA1
- Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 IMWH170R1K0M1XKSA1