Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 222-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R180P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB40,138.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB42,948.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB40.138 | THB40,138.00 |
| 2000 - 2000 | THB38.594 | THB38,594.00 |
| 3000 + | THB38.105 | THB38,105.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4894
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB60R180P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPB65R | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPB65R | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor R G
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R180P7ATMA1
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon IPB65R Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R045C7ATMA2
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF640NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4020TRLPBF
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247