Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 214-9089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R090CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB4,485.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,799.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB89.709 | THB4,485.45 |
| 100 - 150 | THB87.758 | THB4,387.90 |
| 200 + | THB85.808 | THB4,290.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9089
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP60R090CFD7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | CoolMOS CFD7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Width | 4.57 mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series CoolMOS CFD7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Width 4.57 mm | ||
Length 10.36mm | ||
Height 9.45mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS Series is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS CFD7 is the successor to the CoolMOS CFD2 series and is an optimized platform tailored to target soft switching applications such as phase-shift full-bridge (ZVS) and LLC. The CoolMOS CFD7 technology meets highest efficiency and reliability standards and furthermore supports high power density solutions. Altogether, CoolMOS CFD7 makes resonant switching topologies more efficient, more reliable, lighter and cooler.
Ultra-fast body diode
Low gate charge
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R090CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R210CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R170CFD7XKSA1
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247