Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 557 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRL40SC228

RS Stock No.:: 222-4754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL40SC228
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 557 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRL40SC228

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 3%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB71,640.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB76,656.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB89.551	THB71,640.80	-
1600 - 1600	THB86.107	THB68,885.60	3%
2400 +	THB85.017	THB68,013.60	5%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL40SC228
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	557A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	416W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	307nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.54mm
	Width	4.83mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 557A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 416W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 307nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.54mm
	Width 4.83mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL40SC228

Infineon HEXFET Series MOSFET, 557A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRL40SC228

This high power MOSFET is designed for various applications requiring robust performance and efficiency. It features a compact D2PAK-7 surface mount package, ensuring convenient installation in space-constrained environments. With a continuous drain current capability of 557A and a maximum drain-source voltage of 40V, its dimensions measure 10.54mm in length, 9.65mm in width, and 4.83mm in height.

Features & Benefits

• Optimised for logic level drive for enhanced compatibility

• Low RDS(on) of 0.50mΩ for reduced power loss

• High current capacity up to 557A for demanding applications

• Versatile applications in motor drives and power supplies

Applications

• Suitable for brushed and BLDC motor drive circuits

• Ideal for battery-powered electronic systems

• Utilised in half-bridge and full-bridge circuit topologies

• Effective as a synchronous rectifier in power supply

• Used in DC-DC and AC-DC converters

What are the key benefits of using this device in high-current applications?

The device's low on-resistance significantly improves efficiency, allowing for higher current flow without substantial heat generation. This supports reliability and performance in demanding situations where current capacity is critical.

How does this MOSFET perform under high temperature conditions?

It operates effectively across a wide temperature range from -55°C to +175°C, ensuring stability and functionality even under extreme operating conditions.

What features enhance the robustness of this MOSFET during operation?

Enhanced gate and avalanche ruggedness protect it from voltage spikes, while its low dynamic dV/dt capabilities contribute to consistent performance in rapidly changing conditions.