Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 557 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRL40SC228

RS Stock No.:: 222-4755
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL40SC228
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 557 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IRL40SC228

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB693.17

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB741.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

370 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB138.634	THB693.17
10 - 95	THB135.168	THB675.84
100 - 245	THB131.79	THB658.95
250 - 495	THB128.496	THB642.48
500 +	THB125.284	THB626.42

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4755
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRL40SC228
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	557A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	416W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	307nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.83 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.54mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 557A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 416W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 307nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.83 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.54mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL40SC228

Infineon HEXFET Series MOSFET, 557A Maximum Continuous Drain Current, 40V Maximum Drain Source Voltage - IRL40SC228

This high power MOSFET is designed for various applications requiring robust performance and efficiency. It features a compact D2PAK-7 surface mount package, ensuring convenient installation in space-constrained environments. With a continuous drain current capability of 557A and a maximum drain-source voltage of 40V, its dimensions measure 10.54mm in length, 9.65mm in width, and 4.83mm in height.

Features & Benefits

• Optimised for logic level drive for enhanced compatibility

• Low RDS(on) of 0.50mΩ for reduced power loss

• High current capacity up to 557A for demanding applications

• Versatile applications in motor drives and power supplies

Applications

• Suitable for brushed and BLDC motor drive circuits

• Ideal for battery-powered electronic systems

• Utilised in half-bridge and full-bridge circuit topologies

• Effective as a synchronous rectifier in power supply

• Used in DC-DC and AC-DC converters

What are the key benefits of using this device in high-current applications?

The device's low on-resistance significantly improves efficiency, allowing for higher current flow without substantial heat generation. This supports reliability and performance in demanding situations where current capacity is critical.

How does this MOSFET perform under high temperature conditions?

It operates effectively across a wide temperature range from -55°C to +175°C, ensuring stability and functionality even under extreme operating conditions.

What features enhance the robustness of this MOSFET during operation?

Enhanced gate and avalanche ruggedness protect it from voltage spikes, while its low dynamic dV/dt capabilities contribute to consistent performance in rapidly changing conditions.