Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280P7ATMA1
- RS Stock No.:
- 222-4673
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB432.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB462.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,720 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB43.225 | THB432.25 |
| 20 - 90 | THB42.144 | THB421.44 |
| 100 - 240 | THB41.091 | THB410.91 |
| 250 - 490 | THB40.063 | THB400.63 |
| 500 + | THB39.061 | THB390.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4673
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD60R280P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.41mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.41mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Green Product (RoHS compliant)
MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified
OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280CFD7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R170CFD7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263