DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET, 10.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030 DMT3009UDT-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB560.075

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB599.275

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB22.403THB560.08
50 - 75THB21.843THB546.08
100 - 225THB21.297THB532.43
250 - 475THB20.764THB519.10
500 +THB20.244THB506.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-2868
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT3009UDT-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

VDFN-3030

Series

DMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

16W

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Ultra Low Gate Threshold Voltage

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง