DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET, 21.2 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT4015LDV-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB545.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB583.375

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB21.808THB545.20
50 - 75THB21.263THB531.58
100 - 225THB20.731THB518.28
250 - 975THB20.214THB505.35
1000 +THB19.708THB492.70

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-2875
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT4015LDV-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerDI3333-8

Series

DMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

ESD Protected Gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง