DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET, 7.7 A, 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020
- RS Stock No.:
- 222-2869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT3020LFDBQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB27,015.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,905.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB9.005 | THB27,015.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-2869
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT3020LFDBQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | DMT | |
| Package Type | UDFN-2020 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.02Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series DMT | ||
Package Type UDFN-2020 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.
Low Gate Threshold Voltage
Low On-Resistance
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020 DMT3020LFDBQ-7
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Dual DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020 DMT3020UFDB-7
- DiodesZetex Dual DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020 DMP2045UFDB-7
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020