DiodesZetex DMG1012UWQ Type N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- RS Stock No.:
- 222-2824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1012UWQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB7,923.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,478.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | THB2.641 | THB7,923.00 |
| 9000 + | THB2.575 | THB7,725.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-2824
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMG1012UWQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 950mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-323 | |
| Series | DMG1012UWQ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.29W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.35 mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 950mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-323 | ||
Series DMG1012UWQ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.29W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.35 mm | ||
Length 2.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMG1012UWQ Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 DMG1012UWQ-7
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP2900 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323
- onsemi NTZS3151P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563 NTZS3151PT1G
- onsemi NTZS3151P Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-563
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSD235NH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-323 DMN2710UW-7