onsemi NTMT110N Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 221-6735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMT110N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB483,189.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB517,011.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB161.063 | THB483,189.00 |
| 6000 - 6000 | THB154.868 | THB464,604.00 |
| 9000 + | THB152.908 | THB458,724.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6735
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMT110N65S3HF
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | NTMT110N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 62nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 8.1mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PQFN | ||
Series NTMT110N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 62nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 8.1mm | ||
Length 8.1mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Ultra low gate charge
low effective output capacitance 522 pF
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMT110N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN NTMT110N65S3HF
- onsemi NTMT190N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT090N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT150N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT090N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN NTMT090N65S3HF
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN FCMT125N65S3