onsemi NTMT090N Type N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN NTMT090N65S3HF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB388.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB415.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 682 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 8THB194.29THB388.58
10 - 98THB189.435THB378.87
100 - 248THB184.70THB369.40
250 - 498THB180.08THB360.16
500 +THB175.58THB351.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
221-6734
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTMT090N65S3HF
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

NTMT090N

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

66nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

272W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

8.1mm

Width

1.1 mm

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Ultra low gate charge

low effective output capacitance 569 pF

100% avalanche tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง