onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN FCMT360N65S3
- RS Stock No.:
- 195-2503
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCMT360N65S3
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB1,698.22
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,817.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,980 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB84.911 | THB1,698.22 |
| 760 - 1480 | THB82.789 | THB1,655.78 |
| 1500 + | THB81.515 | THB1,630.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2503
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCMT360N65S3
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | FCMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8 mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PQFN | ||
Series FCMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8 mm | ||
Height 1.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor's brand-new high voltage super-junction(SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the switching power applications such as server/telecom power, adapter and solar inverter applications. The Power88 package is an ultra-slim surface-mount package (1mm high) with a low profile and small footprint (8 * 8 mm2). SUPERFET III MOSFET in a Power88 package offers excellent switching performance due to lower parasitic source inductance and separated power and drive sources.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN FCMT125N65S3
- onsemi FCMT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin Power88 FCMT250N65S3
- onsemi NTMT190N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT110N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT090N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- onsemi NTMT150N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PQFN
