onsemi NTH4LN019N Type N-Channel MOSFET, 75 A, 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4LN019N65S3H
- RS Stock No.:
- 221-6708
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4LN019N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB825.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB883.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 424 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB825.60 |
| 10 - 99 | THB804.96 |
| 100 - 249 | THB784.84 |
| 250 - 499 | THB765.23 |
| 500 + | THB746.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 221-6708
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4LN019N65S3H
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NTH4LN019N | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 19.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 282nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 625W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.8mm | |
| Width | 5.2 mm | |
| Height | 22.74mm | |
| Standards/Approvals | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NTH4LN019N | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 19.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 282nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 625W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.8mm | ||
Width 5.2 mm | ||
Height 22.74mm | ||
Standards/Approvals These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET has high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provides superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Ultra low gate charge
low effective output capacitance 2495 pF
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH4LN019N Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi FCH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247 FCH023N65S3L4
- onsemi FCH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL019N65S3H
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL027N65S3HF
- onsemi Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL027N65S3F
- onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH027N65S3F Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTH027N65S3F-F155