onsemi N-Channel MOSFET, 75 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL027N65S3F
- RS Stock No.:
- 186-1497
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL027N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB652.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB697.69
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 112 | THB652.05 |
| 113 - 224 | THB635.75 |
| 225 + | THB625.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 186-1497
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVHL027N65S3F
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 227nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 595W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.82mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.82mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 227nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 595W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.82mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.82mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
ไม่สอดคล้อง
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTHL N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL019N65S3H
- onsemi FCH023N65S3 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH023N65S3-F155
- onsemi FCH029N N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 FCH029N65S3-F155
- onsemi FCH029N N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH027N65S3F Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTH027N65S3F-F155
- onsemi NTHL N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL027N65S3HF
- onsemi NTH4LN019N N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247