onsemi Type N-Channel MOSFET, 75 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NVHL027N65S3F

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB527.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB564.67

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 112THB527.73
113 - 224THB514.54
225 +THB506.63

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
186-1497
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVHL027N65S3F
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

75A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

227nC

Maximum Power Dissipation Pd

595W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Standards/Approvals

No

Height

20.82mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150°C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)

PPAP Capable

Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

PPAP Capable

Applications

HV DC/DC converter

End Products

On Board Charger

DC/DC Converter

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง