Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
220-7480
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH3707TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.8W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Lead-Free, RoHS

Width

3 mm

Length

3mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

The Infineon Strong IRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface-mount package

Potential alternative to high-RDS(on) SuperSO8 package

Wide availability from distribution partners

Industry standard qualification level

Standard pinout allows for drop in replacement

Small form factor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง