Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 45 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP IPDD60R150G7XTMA1

RS Stock No.:: 220-7420
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R150G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 45 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP IPDD60R150G7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB523.36

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB559.995

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 420	THB104.672	THB523.36
425 - 845	THB102.056	THB510.28
850 +	THB100.488	THB502.44

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7420
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R150G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	HDSOP
	Series	C7 GOLD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Power Dissipation Pd	95W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Standards/Approvals	No
	Height	21.11mm
	Length	6.6mm
	Width	2.35 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type HDSOP
	Series C7 GOLD
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Power Dissipation Pd 95W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Standards/Approvals No
	Height 21.11mm
	Length 6.6mm
	Width 2.35 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDD60R150G7XTMA1

The Infineon Technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology 600V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFETis combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

Gives best-in-class FOM RDS(on) x Eoss and RDS(on) x Qg

Innovative top-side cooling concept

Inbuilt 4th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance

TCOB capability of >> 2.000 cycles, MSL1 compliant and total Pb-free

Enabling highest energy efficiency

Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits

Reduced parasitic source inductance improves e efficiency and ease-of-use

Enables higher power density solutions

Exceeding the highest quality standards

Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 45 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP IPDD60R150G7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง