Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 83 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP

RS Stock No.:: 220-7417
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 83 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1700 ชิ้น)*

THB235,416.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB251,889.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,700 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1700 - 1700	THB138.48	THB235,416.00
3400 - 5100	THB134.326	THB228,354.20
6800 +	THB130.296	THB221,503.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 220-7417
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	83A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	HDSOP
	Series	C7 GOLD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	174W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Standards/Approvals	No
	Width	2.35 mm
	Length	6.6mm
	Height	21.11mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 83A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type HDSOP
	Series C7 GOLD
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 174W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Standards/Approvals No
	Width 2.35 mm
	Length 6.6mm
	Height 21.11mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDD60R080G7XTMA1

The Infineon technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology 600V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFETis combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

Gives best-in-class FOM RDS(on) x Eoss and RDS(on) x Qg

Innovative top-side cooling concept

Inbuilt 4th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance

TCOB capability of >> 2.000 cycles, MSL1 compliant and total Pb-free

Enabling highest energy efficiency

Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits

Reduced parasitic source inductance improves e efficiency and ease-of-use

Enables higher power density solutions

Exceeding the highest quality standards

Infineon C7 GOLD Type N-Channel MOSFET & Diode, 83 A, 650 V Enhancement, 10-Pin HDSOP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง