Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 73 A, 80 V N, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 218-3037
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD096N08N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB46,307.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB49,550.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB18.523 | THB46,307.50 |
| 5000 - 7500 | THB17.967 | THB44,917.50 |
| 10000 + | THB17.428 | THB43,570.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-3037
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPD096N08N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 73A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.22 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 73A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.22 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon N-Channel Power MOSFET. This MOSFET is ideal for high frequency switching applications.
Optimized technology for DC/DC converters
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD096N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC059N04LSGATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD082N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1