Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZA60R180P7XKSA1

RS Stock No.:: 217-2593
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPZA60R180P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZA60R180P7XKSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB586.63

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB627.695

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB117.326	THB586.63
10 - 10	THB114.394	THB571.97
15 +	THB112.636	THB563.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2593
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPZA60R180P7XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	CoolMOS P7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	72W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	15.9mm
	Height	41.2mm
	Width	5.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series CoolMOS P7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 72W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 15.9mm
	Height 41.2mm
	Width 5.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPZA60R180P7XKSA1

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 4-Pin TO-247 IPZA60R180P7XKSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง