Infineon IPD N-Channel MOSFET, 14 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD95R450P7ATMA1

RS Stock No.:: 217-2535
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R450P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD N-Channel MOSFET, 14 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD95R450P7ATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2500 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2500)*

THB103,290.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB110,520.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB41.316	THB103,290.00
5000 - 7500	THB40.076	THB100,190.00
10000 +	THB38.874	THB97,185.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 217-2535
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD95R450P7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	950V
	Series	IPD
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	450mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22mm
	Length	6.73mm
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 14A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 950V
	Series IPD
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.22mm
	Length 6.73mm
	Height 2.41mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R450P7ATMA1

Infineon IPD Series MOSFET, 950V Drain Source Voltage, 14A Continuous Drain Current - IPD95R450P7ATMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-management roles in demanding electrical systems. It operates across a wide temperature span for industrial and automotive contexts and is supplied in a surface-mount TO-252 package for Compact board-level integration.

Features and Benefits:

• 950 V drain-source rating enabling high-voltage switching capability
• 14 A continuous drain current for sustained load handling
• 104 W power dissipation to manage thermal stress under load
• 450 mΩ RDS(on) reducing conduction losses during operation
• 35 nC typical gate charge allowing predictable switching behaviour
• 20 V maximum gate-source voltage supporting robust gate drive

Applications

• Suitable for high-voltage power conversion stages
• Ideal for automotive power subsystems meeting AEC‑Q101 needs
• Used with switch-mode power supplies handling elevated voltages
• Can be used for industrial motor-drive interfaces
• Used for DC-DC converters requiring a surface-mount form factor

What temperature range can it reliably operate within?

It is rated for continuous use from −55 °C to 150 °C.

How many pins does the device present for PCB routing?

The component has three electrical connections for gate, drain and source.

What mounting method is required for assembly?

It is intended for surface mounting on appropriate solder pads.

What is the forward voltage of the intrinsic body diode?

The diode forward voltage is specified as 0.9 V.