Infineon OptiMOS 5 80V Type N-Channel MOSFET, 80 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB049N08N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 215-2496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB049N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB597.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB639.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,730 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | THB59.737 | THB597.37 |
| 250 - 490 | THB58.243 | THB582.43 |
| 500 + | THB57.347 | THB573.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB049N08N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS 5 80V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 49mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS 5 80V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 49mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB049N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
RDS(on) reduction of up to 44%
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 80V Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP052N08N5AKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB054N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP057N08N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263