Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 80 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP052N08N5AKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9083
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP052N08N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB466.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB499.33
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB46.666 | THB466.66 |
| 20 - 20 | THB45.499 | THB454.99 |
| 30 + | THB44.798 | THB447.98 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9083
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP052N08N5AKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.57 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.36mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.57 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.36mm | ||
Height 9.45mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and Strong IRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs. These latest generation of power MOSFETs, are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies.
Qualified according to JEDEC1 for target applications
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 80V Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 80V Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB049N08N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG