Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R125C7XKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R125C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB958.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,025.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB191.694 | THB958.47 |
| 10 - 10 | THB186.902 | THB934.51 |
| 15 + | THB184.024 | THB920.12 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9119
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R125C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | CoolMOS C7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 101W | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Width | 5.21mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series CoolMOS C7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 101W | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Width 5.21mm | ||
Length 16.13mm | ||
Height 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R225C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA65R190C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin VSON IPL65R130C7AUMA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R080P7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R045C7FKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW60R060C7XKSA1
