Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R125C7XKSA1
- RS Stock No.:
- 214-9118
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R125C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (30 ชิ้น, ในหลอดขนาด 30)*
THB3,977.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,255.47
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB132.569 | THB3,977.07 |
| 60 - 90 | THB128.592 | THB3,857.76 |
| 120 + | THB124.734 | THB3,742.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9118
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPW65R125C7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | CoolMOS C7 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 101W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.21mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series CoolMOS C7 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 101W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.21mm | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
Easy to use/drive
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IPW65R125C7XKSA1
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET & Diode 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247