Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- RS Stock No.:
- 214-8987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB164,590.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB176,110.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB32.918 | THB164,590.00 |
| 10000 - 15000 | THB31.93 | THB159,650.00 |
| 20000 + | THB30.972 | THB154,860.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8987
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TSDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 165mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.49mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 6.35 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TSDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.49mm | ||
Height 1.1mm | ||
Width 6.35 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 250V OptiMOS products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives. With Lowest board space consumption, these allows system cost improvement. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and Environmental friendly characteristics.
It has 150 °C operating temperature
Qualified according to JEDEC for target applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ16DN25NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ067N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ520N15NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ097N04LSGATMA1