Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 147 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC015NE2LS5IATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB389.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB417.165
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 9,810 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB25.992 | THB389.88 |
| 1260 - 2490 | THB25.343 | THB380.15 |
| 2505 + | THB24.953 | THB374.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8972
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 147A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.65V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.35 mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5.49mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 147A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.65V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.35 mm | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5.49mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. With the OptiMOS 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. Potential Applications includes Desktop and server, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator etc.
Monolithic integrated Schottky-like diode
Optimized for high performance buck converters
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010NE2LSATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
