Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 82 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2807STRLPBF
- RS Stock No.:
- 214-4444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF2807STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB543.26
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB581.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 2,550 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | THB54.326 | THB543.26 |
| 200 - 390 | THB52.967 | THB529.67 |
| 400 + | THB52.153 | THB521.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4444
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF2807STRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 82A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-413 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 82A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-39-413 | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device
It is fully avalanche rated
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8325TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 75 V, 3-Pin TO-263