Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4010TRLPBF

RS Stock No.:: 168-6012
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4010TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4010TRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB3,345.60

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB55,752.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB59,655.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB69.691	THB55,752.80	-
1600 - 2400	THB67.60	THB54,080.00	THB3,345.60
3200 +	THB65.572	THB52,457.60	THB13,180.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-6012
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFS4010TRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	143nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.65mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 143nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.65mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 180A Maximum Continuous Drain Current, 375W Maximum Power Dissipation - IRFS4010TRLPBF

This high-power MOSFET delivers strong performance across various applications, essential for contemporary electronic systems. Its enhancement mode operation and Advanced HEXFET technology provide efficient power management, making it suitable for applications that require dependable power control.

Features & Benefits

• Supports continuous drain current up to 180A for substantial loads

• Maximum drain-source voltage rated at 100V for flexibility

• Low Rds(on) of 4.7mΩ minimises power loss during operation

• Designed in a single configuration for easier integration

• Handles temperatures up to +175°C effectively

• Capable of high-speed power switching for efficient operations

Applications

• Used in synchronous rectification for switched-mode power supplies

• Suitable for uninterruptible power supply systems

• Applied in hard-switched and high-frequency circuits

• Utilised in automation equipment that needs efficient power management

• Integrates well into diverse electrical and mechanical projects

How does the resistance affect performance in high-frequency applications?

A low Rds(on) notably reduces heat generation and power loss, enhancing the efficiency of high-frequency power converters.

What gate voltage is required to ensure optimal operation?

The device operates effectively with a gate-source voltage between 2V and 4V, with 10V recommended for maximum efficiency.

Is installation straightforward for this component?

Yes, this surface mount MOSFET is designed for easy placement on PCBs, allowing for quick and reliable setups in various devices.

Can it handle thermal management effectively?

With a maximum operating junction temperature of +175°C, it is suitable for use in environments that require solid thermal performance.

What types of circuits can benefit from incorporating this component?

It is Ideal for high-speed switching applications, load driver circuits, and power management systems in automation and electrical fields.