Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V N, 3-Pin TO-220 IPA041N04NGXKSA1
- RS Stock No.:
- 214-4350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA041N04NGXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB420.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB449.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 + | THB28.006 | THB420.09 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4350
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPA041N04NGXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 35W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.15 mm | |
| Length | 10.68mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 35W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.15 mm | ||
Length 10.68mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon OptiMOS 3 MOSFET features not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
It is Halogen-free according to IEC61249-2-21
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 3-Pin TO-252 IPD096N08N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP042N03LGXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V N, 8-Pin TDSON BSC059N04LSGATMA1