Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 49 A, 80 V N, 8-Pin SuperSO BSC117N08NS5ATMA1

RS Stock No.:: 214-4327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC117N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 49 A, 80 V N, 8-Pin SuperSO BSC117N08NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB4,820.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB80,375.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB86,000.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
5000 - 5000	THB16.075	THB80,375.00	-
10000 - 15000	THB15.593	THB77,965.00	THB4,820.00
20000 +	THB15.125	THB75,625.00	THB19,000.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4327
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC117N08NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SuperSO
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.7mΩ
	Channel Mode	N
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.2mm
	Width	6.1mm
	Length	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SuperSO
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.7mΩ
	Channel Mode N
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.2mm
	Width 6.1mm
	Length 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC117N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 80V Drain Source Voltage, 49A Continuous Drain Current - BSC117N08NS5ATMA1

This MOSFET is a surface-mount N-channel power transistor designed for high-current switching in compact electronic assemblies. It operates across a wide ambient range and is suited to applications requiring efficient conduction and fast switching behaviour. The device is supplied in an eight-pin SuperSO package and is intended for use where low on-resistance and considerable drain current capability are required.

Features and Benefits:

• 11.7mΩ Rds(on) enabling reduced conduction losses
• 49A continuous drain current for heavy-load handling
• 80V drain-source rating for high-voltage switching
• 15nC gate charge for responsive switching control
• 50W maximum power dissipation for robust thermal performance

Applications

• Suitable for high-efficiency power supplies in electronics
• Ideal for DC-DC converters and synchronous rectification
• Used with motor controllers requiring elevated current capacity
• Can be used for telecoms and server power distribution
• Suitable for compact, high-density surface-mount assemblies

What temperature extremes can it withstand during operation?

It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, accommodating harsh thermal conditions.

How does the package aid board-level design?

The SuperSO eight-pin layout and low-profile 1.2mm height permit dense component placement and low-inductance routing.

What is the typical forward voltage during conduction?

The device exhibits a forward voltage of 1.1V under specified conduction conditions, affecting conduction loss calculations.

What maximum gate stress should the design allow?

The gate should be driven within ±20V to avoid exceeding the maximum gate-source voltage rating.