Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 56 A, 150 V N, 8-Pin SuperSO BSC160N15NS5ATMA1

RS Stock No.:: 214-4329
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC160N15NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 56 A, 150 V N, 8-Pin SuperSO BSC160N15NS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB12,570.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB209,570.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB224,240.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
5000 - 5000	THB41.914	THB209,570.00	-
10000 - 15000	THB40.657	THB203,285.00	THB12,570.00
20000 +	THB39.437	THB197,185.00	THB49,540.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4329
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC160N15NS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	56A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	SuperSO
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	16mΩ
	Channel Mode	N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 56A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type SuperSO
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 16mΩ
	Channel Mode N
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC160N15NS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 56A Maximum Continuous Drain Current - BSC160N15NS5ATMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel power transistor designed for surface-mount applications where efficient switching and high current capability are required. It operates across a broad temperature range suitable for demanding thermal environments and is intended for designers needing a compact, high-performance device in a SuperSO package.

Features and Benefits:

• 150V drain rating enables high-voltage switching capability
• 16mΩ Rds(on) minimises conduction losses under load
• 56A continuous drain current supports high-current designs
• 19nC gate charge reduces drive energy and switching losses
• 96W power dissipation allows sustained thermal loading

Applications

• Suitable for DC-DC converters in industrial equipment
• Ideal for synchronous rectification in power supplies
• Used for motor-drive stages requiring high current
• Can be used for telecoms power distribution modules
• Suitable for high-voltage switching in server power rails

What thermal extremes can it withstand during operation?

It functions between -55°C and 150°C, allowing use in both cold-start and high-temperature environments.

How many connection pins does the package present?

The package provides eight pins to facilitate compact surface-mount circuit layouts.

What mechanical profile should designers allow for?

The device measures 1.2mm in height, 5.35mm in length and 6.1mm in width for footprint planning.

What gate voltage limits must be observed for reliable operation?

The device must not be driven beyond ±20V between gate and source to avoid damage.