Vishay SQJQ142E Type N-Channel MOSFET, 460 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Stock No.:
- 210-5057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB92,968.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB99,476.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB46.484 | THB92,968.00 |
| 4000 - 6000 | THB45.089 | THB90,178.00 |
| 8000 + | THB43.737 | THB87,474.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5057
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJQ142E-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 460A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJQ142E | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 92nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8mm | |
| Height | 1.7mm | |
| Width | 8.1 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 460A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJQ142E | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 92nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8mm | ||
Height 1.7mm | ||
Width 8.1 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK 8 x 8L package type.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Thin 1.6 mm package
Very low thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJQ142E Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ142E-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay SQJQ148E Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ140E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ186E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)