Vishay SQJ146EP Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ146EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 210-5043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ146EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB251.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB269.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB25.162 | THB251.62 |
| 750 - 1490 | THB24.534 | THB245.34 |
| 1500 + | THB24.157 | THB241.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-5043
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ146EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 75A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SQJ146EP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Width | 6.25 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 75A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SQJ146EP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Width 6.25 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 75 A drain current.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ146EP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA66EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJA66EP_RC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ140E-T1_GE3
- Vishay SQJQ148E Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ148E-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ136ELP-T1_GE3