DiodesZetex DMT6006 N-Channel MOSFET, 98 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMT6006SPS-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB43,850.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB46,925.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB17.54THB43,850.00
5000 - 7500THB17.014THB42,535.00
10000 +THB16.503THB41,257.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
206-0148
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT6006SPS-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

98A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerDI5060

Series

DMT6006

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27.9nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

2.45W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

No

Height

900μm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 60V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 2.45 W thermal power dissipation.

Low RDS(ON) – ensures on-state losses are minimized

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง