DiodesZetex Dual DMN3061 1 Type N-Channel MOSFET, 3.4 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOT DMN3061SVT-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB337.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB361.075

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,475 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 725THB13.498THB337.45
750 - 1475THB13.161THB329.03
1500 +THB12.958THB323.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
206-0083
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN3061SVT-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

DMN3061

Package Type

TSOT

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.08W

Forward Voltage Vf

0.7V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Height

0.9mm

Width

1.6 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.88W thermal power dissipation.

Low input capacitance

Fast switching speed

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง