onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTP360N80S3Z
- RS Stock No.:
- 205-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP360N80S3Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB615.51
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB658.595
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 720 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB123.102 | THB615.51 |
| 200 - 395 | THB120.022 | THB600.11 |
| 400 + | THB118.178 | THB590.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTP360N80S3Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET & Diode | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SUPERFET III | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 30.7mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET & Diode | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SUPERFET III | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 30.7mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor SUPERFET III series N-channel 800V MOSFET is optimized for primary switch of fly back converter, enables lower switching losses and case temperature without sacrificing EMI performance thanks to its optimized design. In addition, internal zener diode significantly improves ESD capability. This new family enables make more efficient, compact, cooler and more robust applications because of its remarkable performance in switching power applications such as Laptop adapter, Audio, Lighting, ATX power and industrial power supplies.
Continuous Drain Current rating is 13A
Drain to source on resistance rating is 360mohm
Ultra low gate charge
Low stored energy in output capacitance
100% avalanche tested
Package type is TO-220
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD360N80S3Z
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF360N80S3Z
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FCB125N65S3
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-252